
Memoria RAM Ntc Ddr4 2666 Mhz 1.2 V para portátil de 16 GB
Lo que tienes que saber de este producto
- Optimice el rendimiento de su máquina con la tecnología DDR4.
- Memoria con formato SODIMM.
- Apto para ordenadores portátiles.
- línea NTCKF2666ND4-16GB.
- Alcanza una velocidad de 2.666 GHz.
Características del producto
Capacidad total: 16 GB
Formato: SODIMM
Velocidad: 2.666 GHz
Características generales
Marca | NTC |
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Línea | NTCKF2666ND4-16GB |
Modelo | NTCKF2666ND4-16GB |
Módulos de memoria RAM | 1 |
Capacidad total del módulo de memoria RAM | 16 GB |
Capacidad individual | 16 GB |
Especificaciones
Tipo de memoria RAM | DDR4 |
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Formato de la memoria RAM | SODIMM |
Velocidad de la memoria RAM | 2.67 GHz |
Otros
Voltaje de alimentación | 1.2V |
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Descripción
Memoria RAM NTC para portátil DDR4 2666 Mhz 1,2 V NTCKF2666ND4-16GB
La memoria RAM NTC NTCKF2666ND4-16GB ofrece alta calidad y estabilidad para abrir sus programas de forma más rápida y eficaz con una capacidad de 16 GB, una frecuencia de 2666 MHz y una latencia CL19. La RAM NTC se puede utilizar en plataformas Intel y AMD en sistemas DDR4 de 1,2 V en formato SODIMM.
Cuenta con 16 GB de memoria DDR4 2666 Mhz
NTC para ordenadores portátiles - Modelo: NTCKF2666ND4-16GB
Especificaciones Memoria para portátiles DDR4 de 16 GB, 1,2 V
- Capacidad: 16 GB
- Frecuencia: 2666 MHz
- Formato: SODIMM - 260 pines
- CAS: CL19
- Voltaje: 1,2 V
- ECC: sin ECC
- Tampón: sin búfer
- VDD = VDDQ = 1,2 V ± 60 mV
- VPP = 2,5 V, - 125 mV/más de 250 mV
- Promedio interno
- Generación VREFDQ ajustable
- E/S pseudode drenaje abierto de 1,2 V
- Temperatura: de 0 °C a 85 °C
- 16 bancos internos (x4, x8): 4 grupos de 4 bancos cada uno
- Arquitectura prefetch
de 8 n bits - Datos de entrada estroboscópica programables
- Entrenamiento de entrada estroboscópica
- Latencia de comandos y direcciones (CAL)
- Capacidad general de registro de lectura y escritura
- Nivelación de escritura y escritura
- Automática modo de actualización
- Actualización automática de bajo consumo de energía (LPASR)
- Actualización de temperatura controlada (TCR)
- Actualización de granularidad fina
- Anular la actualización automática
- Máximo ahorro de energía
- Calibración del controlador de salida
- Terminación matricial nominal, estacionada y dinámica (ODT)
- Datos inversión de bus (DBI) para bus de datos
- Paridad de comando y escritura (CA)
- Comprobación de redundancia de escritura del bus de datos cíclico
- Direccionamiento DRAM
- Modos de reparación posterior al paquete (PPR) y reparación suave posterior al paquete (sPPR)
- Compatible con JEDEC JESD-79-4'.