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  • Unidades por pack: 1
  • Formato de venta: Unidad
  • Voltaje máximo soportado: 600V.
  • Corriente máxima soportada: 2A.
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Características del producto

Características principales

Marca
UNIT Electronics
Código del transistor
Mosfet N 600v 2A SMD 2N60L-TN3-R
Formato de venta
Unidad

Otros

Tipo de encapsulado
Montaje en superficie (SMD)
Voltaje máximo soportado
600V
Corriente máxima soportada
2 A

Descripción

El Mosfet N 600V 2A SMD 2N60L-TN3-R es un transistor de canal N diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y rendimiento. Con un voltaje de drenaje máximo de 600V y una corriente drenaje de hasta 2A, este componente es ideal para circuitos que requieren un control preciso de la energía. Su encapsulado SMD (Surface Mount Device) en formato TO-252-2 (DPAK) facilita su integración en diseños compactos y modernos. Además, cuenta con un voltaje de umbral (Vgs(th)) de 4V a 250µA, lo que asegura un funcionamiento óptimo en diversas condiciones. La resistencia en estado de conducción (Rds On) es de 5 ohmios a 1A y 10V, garantizando una baja pérdida de energía. Con una potencia de disipación de 44W, este Mosfet es perfecto para aplicaciones que requieren un manejo eficiente del calor. Además, cumple con la normativa RoHS, siendo libre de plomo, lo que lo convierte en una opción segura y confiable para tus proyectos electrónicos.

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