Transistores Mosfet Bojack Irf510 Irf510n 56a 100v N-canal

Descripción

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Bojack IRF510N MOSFET es un transistor de efecto de campo que puede usarse ampliamente en circuitos analógicos y circuitos digitales.

Parámetros básicos:

El IRF510N está disponible en un paquete TO20AB
RDS de resistencia en el estado (ON): 0.54 ohmios
Voltaje VGS más alto: ± 20V
Número de puntadas: 3
Temperatura de funcionamiento: -55 ° C a +175 ° C
Unión de resistencia térmica al caso A: VDS típico: 100V
ID actual continua: 5.6a
Pulso IDM actual: 20A
Dispositivo de montaje en superficie: a través del montaje del orificio

Protección ambiental sin plomo

• Tipo de transistor: MOSFET
• Polaridad del transistor: canal N
• Drene la corriente (ID máximo): 5.6a
• VDS de voltaje máx: 100V
• potencia (máximo): 43W


Color:

Marca: BOJACK

Dimensiones: 0.017 x 0.071 x 0.053 mts

Peso del Producto: 0.032 Kilogramos.

Peso de Envio: 0.032 Kilogramos.

Modelo: B08L916HP2

Ref: B08L916HP2